日本高技術(shù)陶瓷研發(fā)新動向
研究成果動向
材料方面
Si3N4陶瓷的研究一直比較活躍。一部分研究是為了配合300KW級陶瓷氣輪機開發(fā)項
目而展開的,成功地研制出具有上述的耐高溫和高可靠性的Si3N4陶瓷。另一部分研究是關(guān)于
高熱傳導(dǎo)性Si3N4基板陶瓷的研究開發(fā),Si3N4的熱傳導(dǎo)率已提高到150W/mK以上。
與AlN和Al2O3陶瓷相比,Si3N4陶瓷的強度和韌性高,適應(yīng)散熱基板的薄型化。
SiC陶瓷的研究主要集中在高純度化和低溫?zé)Y(jié)方面。高純度SiC陶瓷在半導(dǎo)體制造工業(yè)
有很好的應(yīng)用前景。利用高頻等離子體工藝制備的SiC微粉(平均粒徑30mm)不需要添加物
也可以熱壓致密適合用來制備高純度Sic 陶瓷。Sic的低溫?zé)Y(jié)主要是利用液相燒結(jié)工藝,研
究集中在添加劑的探索工作上。
AlN陶瓷的研究也很活躍。研究和開發(fā)主要以基板材料為中心,但也有探討高溫結(jié)構(gòu)應(yīng)用的研
究動向。如何提高AlN陶瓷的熱傳導(dǎo)率的問題已經(jīng)基本解決,如何降低AlN陶瓷的燒結(jié)溫度和機
械性能還有待進一步探討。Watari等人使用一種特殊的添加劑,可以在1600℃的燒結(jié)溫度
下得到熱導(dǎo)率為172W/mK、強度為450MPa的AlN陶瓷。AlN與Si3N4相比,分
解溫度高和高溫穩(wěn)定性好,適合于高溫結(jié)構(gòu)用途。
近來穩(wěn)定化ZrO2陶瓷(PSZ,TZP)的研究工作大部分集中在其超塑性方面,很多超塑性
的記錄也是出現(xiàn)在該陶瓷里。關(guān)于PSZ基復(fù)合材料和梯度功能材料方面的研究也很活躍。PSZ基復(fù)
合材料含Ni和Mo等金屬分散相或含Al2O3陶瓷分散相兩大類。名古屋大學(xué)平野教授等人在Ce
系TZP陶瓷里原位合成板條狀磁性氧化物相,獲得既能提高度度又不降低韌性的效果。
工藝方面
等離子體放電燒結(jié)(SPS)是日本較近幾年開發(fā)的一種新型陶瓷燒結(jié)工藝技術(shù)。SPS法具有內(nèi)
部加熱和快速升溫特點,可用于需要舒緩晶粒生長的燒結(jié),也可以通過模具設(shè)計來實現(xiàn)溫度梯度,從而
滿足梯度功能材料燒結(jié)工藝的需要。有利用SPS法來燒結(jié)Si3N4、SiC、Al2O3、ZrO2
陶瓷和Ti-Al系金屬間化合物等方面的研究報道。東北大學(xué)已利用SPS燒結(jié)成功地制備了金屬——
陶瓷系和高分子—陶瓷系梯度功能材料。
微波燒結(jié)技術(shù)在日本也頗受重視,采用頻率為28GHz的大型微波燒結(jié)裝置,研究Si3N4、
Al2O3、PSZ等陶瓷的微波燒結(jié)機理并對其燒結(jié)體進行性能評價。一般來說,與普通加熱方法相比
微波燒結(jié)的致密溫度較低。較近報道表明,在Si3N4陶瓷的微波燒結(jié)過程中氧化物添加劑優(yōu)先加熱,
這種局部選擇加熱方式導(dǎo)致不同性能的出現(xiàn)。將微波燒結(jié)應(yīng)用于功能陶瓷研究的報道逐漸增多。
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