主營(yíng):濺射靶材,鍍膜靶材,金屬靶材,旋轉(zhuǎn)靶材,平面靶材
所在地:
廣東 廣州
產(chǎn)品價(jià)格:
電議(大量采購(gòu)價(jià)格電議)
最小起訂:
1
物流運(yùn)費(fèi):
賣(mài)家承擔(dān)運(yùn)費(fèi)
發(fā)布時(shí)間:
2024-08-29
有效期至:
2025-09-12
產(chǎn)品詳細(xì)
綁定式磁控濺射旋轉(zhuǎn)靶材,包括背管(I)和固定套結(jié)在背管(I)外壁的靶管(3),其特征在于:所述固定套結(jié)在背管(I)外壁的靶管(3)為至少一個(gè),所述背管(I)外壁設(shè)有開(kāi)口槽(2),靶管(3)通過(guò)填充在開(kāi)口槽(2)內(nèi)的無(wú)銦釬焊材料旋轉(zhuǎn)加熱焊接固定在背管(I)夕卜壁。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述綁定式磁控濺射旋轉(zhuǎn)靶材,其特征在于:所述開(kāi)口槽(2)為半圓形螺旋槽。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述綁定式磁控濺射旋轉(zhuǎn)靶材,其特征在于:所述半圓形螺旋槽螺距是槽深的一半。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述綁定式磁控濺射旋轉(zhuǎn)靶材,其特征在于:所述靶管(3)內(nèi)壁與背管(I)外壁間隙為0.2—0.4mm。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述綁定式磁控濺射旋轉(zhuǎn)靶材,其特征在于:所述靶管(3)為兩個(gè)以上時(shí),革E管⑶與靶管(3)之間間隙小于0.5mm。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述綁定式磁控濺射旋轉(zhuǎn)靶材,其特征在于:所述靶管(3)為兩個(gè)以上時(shí),靶管(3)與靶管(3)之間使用硅橡膠墊(4)和高溫膠帶密封。7.根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一所述綁定式磁控濺射旋轉(zhuǎn)靶材,其特征在于:所述靶管(3)為三個(gè)以上時(shí),設(shè)置在兩端部的兩個(gè)靶管(3)比中間靶管(3)厚30 % — 50 %。廣面。 濺射技術(shù),濺射是制備薄膜材料的主要技術(shù)之,它利用離子源產(chǎn)生的離子,在真空中經(jīng)過(guò)加速聚集,而形成高速度能的離子束流,轟擊固體表面,離子和固體表面原子發(fā)生動(dòng)能交換,使固體表面的原子離開(kāi)固體并沉積在基底表面,被轟擊的固體是制備濺射法沉積薄膜的原材料,稱(chēng)為濺射靶材。各種類(lèi)型的濺射薄膜材料無(wú)論在半導(dǎo)體集成電路、太陽(yáng)能光伏、記錄介質(zhì)、平面顯示以及工件表面涂層等方面都得到了廣泛的應(yīng)用UVTM可提供硅材料等,硅靶材和晶圓的直徑可達(dá)18英寸。目前,硅晶圓主流尺寸為8英寸、12英寸。UVTM的硅靶材作為應(yīng)用于手機(jī)玻璃蓋板的重要靶材產(chǎn)品,已獲得多家手機(jī)玻璃蓋板生產(chǎn)客戶的認(rèn)可,并已實(shí)現(xiàn)批量供貨。ito。 半導(dǎo)體芯片行業(yè)用的金屬濺射靶材,主要種類(lèi)包括:銅、鉭、鋁、鈦、鈷和鎢等高純?yōu)R射靶材,以及鎳鉑、鎢鈦等合金類(lèi)的濺射靶材。銅靶和鉭靶通常配合起來(lái)使用。目前晶圓的制造正朝著更小的制程方向發(fā)展,銅導(dǎo)線工藝的應(yīng)用量在逐步加大,因此,銅和鉭靶材的需求將有望持續(xù)增長(zhǎng)。鋁靶和鈦靶通常配合起來(lái)使用。目前,在汽車(chē)電子芯片等需要110nm以上技術(shù)節(jié)點(diǎn)來(lái)保證其穩(wěn)定性和抗干擾性的領(lǐng)域,仍需大量使用鋁、鈦靶材。高純貨品靶材被譽(yù)為半導(dǎo)體芯片材料的強(qiáng)者,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)對(duì)濺射靶材和濺射薄膜的品質(zhì)要求非常高,隨著更大尺寸的硅晶圓片制造出來(lái),相應(yīng)地要求濺射靶材也朝著大尺寸、高純度的方向發(fā)展,同時(shí)也對(duì)濺射靶材的晶粒晶向控制提出了更高的要求。 由于HJT電池的工藝要求較高,因此ITO濺射靶材的比例和純度非常重要。什么是高純?yōu)R射靶材?就是利用各種高純單質(zhì)貨品及新型化合物制得的功能薄膜為(簡(jiǎn)單理解就是純度更高),主要用于對(duì)材料純度、穩(wěn)定性要求更高的領(lǐng)域,像集成電路、平板顯示器、太陽(yáng)能電池、記錄媒體、智能玻璃等行業(yè)。在濺射靶材應(yīng)用領(lǐng)域中,半導(dǎo)體芯片對(duì)濺射靶材的要求是比較高的,要求靶材純度很高,一般在5N(99.999%)以上。日本在電子行業(yè)的上游材料領(lǐng)域占據(jù)了優(yōu)勢(shì),在硅晶圓材料、光罩、靶材等重要的細(xì)分子領(lǐng)域的市場(chǎng)份額都超過(guò)50%。高純靶材用量較大的行業(yè)主要有半導(dǎo)體集成電路、平板顯示器、太陽(yáng)能電池、磁記錄介質(zhì)、光學(xué)器件等。AZO靶材是其中一種制造高科技節(jié)能玻璃鍍膜材料。銀銅合金靶材供應(yīng)。洛純靶材。 目前,大部分國(guó)家的靶材制造行業(yè),特別是高純度的靶材市場(chǎng),呈現(xiàn)寡頭壟斷格局,主要由幾家美日大企業(yè)把持,如日本的三井礦業(yè)、日礦金屬、日本東曹、住友化學(xué)、日本愛(ài)發(fā)科,以及美國(guó)霍尼韋爾、普萊克斯等。日礦金屬是大部分國(guó)家大的靶材供應(yīng)商,靶材銷(xiāo)售額約占大部分國(guó)家市場(chǎng)的30%,霍尼韋爾在并購(gòu)JohnsonMattey、整合高純鋁、鈦等原材料生產(chǎn)廠后,占到大部分國(guó)家市約20%的份額,此外,東曹和普萊克斯分別占20%和10%。氧化鋅是一種透明導(dǎo)電膜材料。以ZnO粉末和Al_2O_3粉末為主要原料,以常壓、空氣氣氛燒結(jié)為手段制備透明導(dǎo)電膜用ZnO陶瓷靶材。研究結(jié)果表明:粉末成型壓力為3MP時(shí),靶材電學(xué)性能佳;當(dāng)Al:Zn原子比為4.100時(shí),ZnO的電阻率低,達(dá)4.1×10~(-3)Ω·㎝,當(dāng)Al摻雜量超過(guò)某一數(shù)值后,Al不再以替位離子形式存在,而是與周?chē)腪n、O原子共同作用,生成鋅鋁尖晶石相,從而導(dǎo)致材料的電阻率升高。噴涂靶話。
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