硅片拋光機是深圳市海德準確研磨機器制造有限公司的要點產(chǎn)品之一，單晶硅片在平面拋光機行業(yè)的應用比較常見，一般硅片成品都需要經(jīng)過平面拋光這一道工序才能應用于市場。但是單晶硅片在拋光過程中往往會因為，超薄超脆而遇到一些技術難點，尤其是大尺寸的硅片。深圳海德是有經(jīng)驗研究硅片拋光機的機構，多年來一直致力于硅片拋光機的生產(chǎn)和研發(fā)，我司對大尺寸硅片拋光機的制作工藝有著非常獨到的見解和比較成熟的技術。

　　平面拋光機拋光(CMP)是目前可實現(xiàn)單晶硅片全局平面化的技術,采用該方法可使整個硅片獲得超光滑和無損傷的表面。其中,拋光液的質量是影響CMP 效果的一個關鍵因素。目前,硅片CMP普遍使用粒徑為50~70 nm的球形SiO2為磨粒[3]。作為一種效率高拋光粉,納米CeO2已廣泛應用于超大規(guī)模集成電路SiO2介質層和隔離溝槽的化學機械拋光,具有高拋光效率和高表面質量等優(yōu)點[4]。有研究表明,將球型納米CeO2用于單晶硅片的化學機械拋光時,其拋光效率比球形SiO2高。不過,納米CeO2拋光硅片的研究還處在初始階段,拋光液制備技術及相關拋光機理有待進一步完善。我國稀土鈰資源居世界重要地位,如能開發(fā)出適于硅片拋光的納米CeO2拋光液,將會促進硅片超準確加工技術的發(fā)展,社會經(jīng)濟效益可觀。

　　由此可見稀土拋光粉在單晶硅片的拋光過程中有著重要的作用，對單晶硅片的平面拋光機市場也有著相當大的影響。單晶硅片的平面拋光機技術在行業(yè)內的應用前景非常大，發(fā)展還有很大空間。

　　海德公司硅片拋光機工作原理：

　　本系列硅片拋光機由四個吸附盤吸附硅片與拋光盤做逆時針旋轉來達到拋光的目的。

硅片拋光機特點：

　　1.本系列拋光機的吸附盤由四臺單獨的電機驅動、速度與壓力可調。

　　2.控制系統(tǒng)中采用PLC彩色終端等先進技術，系統(tǒng)的響應速度更快、更準確，并具有遠程監(jiān)控，遠程維護的功能;