【中玻網(wǎng)】Low-E玻璃又稱(chēng)低輻射鍍膜玻璃，是在玻璃表面鍍上以銀為基礎(chǔ)的若干層金屬或其化合物薄膜，這些膜層具有對(duì)可見(jiàn)光高透過(guò)及對(duì)中遠(yuǎn)紅外線高反射的特性，具有良好的節(jié)能效果和光學(xué)性能。真空磁控濺射法（PVD）也稱(chēng)離線法，可以實(shí)現(xiàn)復(fù)雜膜系Low-E玻璃的大規(guī)模量產(chǎn)，成為近年來(lái)Low-E玻璃的主流生產(chǎn)工藝。
　　
　　相比傳統(tǒng)的熱反射鍍膜玻璃，Low-E玻璃的鍍膜層數(shù)多也更薄，特別是近年來(lái)雙銀／三銀Low-E玻璃的推廣，有的產(chǎn)品需要沉積多達(dá)20多層不同材料的薄膜，這就對(duì)每層薄膜的質(zhì)量和均勻性提出了非?？量痰囊?。如果不能很好的控制單層薄膜的質(zhì)量和均勻性，這么多層薄膜累加后的顏色、透光率等光學(xué)不均勻性就會(huì)非常明顯。因此對(duì)現(xiàn)有的PVD鍍膜工藝來(lái)說(shuō)，提高鍍膜的質(zhì)量和均勻性是一個(gè)非常關(guān)鍵的課題。
　　
　　１工藝氣體布?xì)饩鶆蛐?br />　　
　　作為膜層均勻性控制的主要手段之一，工藝氣體布?xì)饩鶆蛐苑浅Ｖ匾Ｎ覀儾捎萌缦露N方法確保工藝氣體沿玻璃板寬方向分布的均勻性：
　　
　?。保┎?xì)夤苈贩譃橹鞴芎洼o管，主管由3個(gè)質(zhì)量流量計(jì)分別控制Ar、O2、N2氣的供氣量，輔管根據(jù)陰較寬度分為3～7段，每段由一個(gè)質(zhì)量流量計(jì)單獨(dú)控制工藝氣體流量，見(jiàn)圖1。

　　２）主管和每段輔管均采用二元布?xì)夥绞剑ㄒ?jiàn)圖2），確保每個(gè)噴嘴的流導(dǎo)一致。

　?。碴庉^磁場(chǎng)強(qiáng)度一致性
　　
　　根據(jù)磁控濺射的原理，磁場(chǎng)強(qiáng)度越大，其對(duì)電子的束縛能力越強(qiáng)，相應(yīng)地，該處的氣體離化程度就越高，濺射速率也就越大。準(zhǔn)確的調(diào)整陰較磁鐵的磁場(chǎng)強(qiáng)度在寬度方向的一致性，可以有效地控制濺射速率的橫向一致性，進(jìn)而控制薄膜沿寬度方向的均勻性。
　　
　　陰較磁場(chǎng)強(qiáng)度的均勻性的控制手段包括以下2個(gè)：
　　
　　１）為確保磁場(chǎng)的強(qiáng)度一致性，需要對(duì)所用磁鐵的磁場(chǎng)強(qiáng)度進(jìn)行挑選，盡量選擇磁場(chǎng)強(qiáng)度一致的磁鐵。陰較裝配完畢后，采用高斯計(jì)沿陰較橫向?qū)Υ艌?chǎng)強(qiáng)度進(jìn)行掃描測(cè)量，繪出磁場(chǎng)強(qiáng)度曲線，可采用調(diào)整磁鐵到靶材距離的方法微調(diào)該處磁場(chǎng)強(qiáng)度，確保磁場(chǎng)沿陰較橫向的一致性。
　　
　　２）陰較使用過(guò)程中應(yīng)嚴(yán)格控制冷卻水溫，并及時(shí)更換靶材，防止永磁體過(guò)熱，因其過(guò)熱不僅會(huì)導(dǎo)致磁場(chǎng)強(qiáng)度衰減，也會(huì)造成磁場(chǎng)不均現(xiàn)象。
　　
　　３鍍膜室真空度、溫度、干燥度控制
　　
　?。常焙愣ǖ恼婵斩?br />　　
　　１）根據(jù)工藝氣體流量，對(duì)分子泵抽速、數(shù)量配置和安裝位置進(jìn)行合理配置。
　　
　　２）完善可靠的腔室密封，所有的動(dòng)密封如傳動(dòng)站、翻版閥等處均采用磁流體密封，蓋板和腔室之間采用壓差密封，即對(duì)兩道密封圈之間的空間抽真空，從而提高大型密封面的密封效果。
　　
　?。常┻M(jìn)出片過(guò)渡室內(nèi)部各布置2～3套阻流器，減少門(mén)閥開(kāi)啟閉合對(duì)鍍膜室內(nèi)真空度的擾動(dòng)。
　　
　　３．２溫度控制
　　
　　陰較及鍍膜室腔體通軟化水冷卻，并對(duì)進(jìn)出水的溫度和流量進(jìn)行監(jiān)控。
　　
　?。常掣稍锒瓤刂?br />　　
　?。保?a target='_blank' class="blue" title="玻璃" >玻璃清洗完畢后應(yīng)確保干燥充分。
　　
　　２）生產(chǎn)線旁應(yīng)布置干燥壓縮空氣（CDA）儲(chǔ)氣罐，在空氣濕度大的時(shí)候，進(jìn)出片室在充氣時(shí)可選擇接通CDA，以減少進(jìn)入腔室內(nèi)的水蒸氣分子。
　　
　　３）在鍍膜室入口處設(shè)置低溫冷阱，用于捕獲進(jìn)入腔室內(nèi)的水蒸氣分子。